STP5NB60

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.8 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.15 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STP5NB60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

4.5 S

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP5NB6, STP5NB, STP5N, STP5, STP