IXFN360N10T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

360 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

525 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

830 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Producto:

Poder del MOSFET

Serie:

IXFN360N10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

110 S

Otoño:

160 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

47 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXFN360, IXFN36, IXFN3, IXFN, IXF