BSC750N10NDGATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

62 mOhms, 62 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC, 11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

26 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 2

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 S, 6.5 S

Otoño:

3 ns, 3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns, 4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

BSC750N10ND BSC75N1NDGXT G SP000359610

Unidad de peso:

0.019612 oz

Tags

BSC750N10NDG, BSC750N10ND, BSC75, BSC7, BSC