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IPD90R1K2C3

IPD90R1K2C3
Mfr. #:
IPD90R1K2C3
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPD90R1K2C3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Infineon Technologies
categoria de producto
FET - Single
Serie
CoolMOS
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3XT SP000413720
Unidad de peso
0.139332 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
CoolMOS
Paquete-Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PG-TO252-3
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
83W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
900V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
710pF @ 100V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
5.1A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3.5V @ 310μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
28nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
83 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
40 ns
Hora de levantarse
20 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
5.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
900 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
1.2 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
400 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
70 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IPD90R, IPD90, IPD9, IPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPD90R1K2C3BTMA1
DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPD90R1K2C3BTMA1
    DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IPD90R1K2C3BTMA1
      DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1DKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IPD90R1K2C3BTMA1
        DISTI # 2726059        		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3
        RoHS: Compliant        		0
        • 1000:$1.1400
        • 500:$1.4400
        • 100:$1.7400
        • 10:$2.2300
        • 1:$2.5000
        Imagen Parte # Descripción
        IPD90N10S4L06ATMA1

        Mfr.#: IPD90N10S4L06ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N10S4L06ATMA1

        		 MOSFET MOSFET
        IPD90N03S4L-02

        Mfr.#: IPD90N03S4L-02

        OMO.#: OMO-IPD90N03S4L-02

        		 MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        IPD90P04P4-05

        Mfr.#: IPD90P04P4-05

        OMO.#: OMO-IPD90P04P4-05

        		 MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
        IPD90N03S4L02ATMA1

        Mfr.#: IPD90N03S4L02ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N03S4L02ATMA1

        		 MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        IPD90N04S4-04(SP0006461

        Mfr.#: IPD90N04S4-04(SP0006461

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4-04-SP0006461-1190

        		 Nuevo y original
        IPD90N04S4L-04.

        Mfr.#: IPD90N04S4L-04.

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4L-04--1190

        		 Nuevo y original
        IPD90N04SL-04

        Mfr.#: IPD90N04SL-04

        OMO.#: OMO-IPD90N04SL-04-1190

        		 Nuevo y original
        IPD90N06S4L06ATMA1

        Mfr.#: IPD90N06S4L06ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N06S4L06ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
        IPD90P04P4L-04

        Mfr.#: IPD90P04P4L-04

        OMO.#: OMO-IPD90P04P4L-04-1190

        		 Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
        IPD90N04S4-03

        Mfr.#: IPD90N04S4-03

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4-03-317

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        Disponibilidad
        Valores:
        Available
        En orden:
        1500
        Ingrese la cantidad:
        El precio actual de IPD90R1K2C3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
        Precio de referencia (USD)
        Cantidad
        Precio unitario
        Ext. Precio
        1
        0,00 US$
        0,00 US$
        10
        0,00 US$
        0,00 US$
        100
        0,00 US$
        0,00 US$
        500
        0,00 US$
        0,00 US$
        1000
        0,00 US$
        0,00 US$
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