SCT3120ALGC11

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247N-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

21 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 4 V, 22 V

Qg - Carga de puerta:

38 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

103 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

SCT3x

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

2.7 S

Otoño:

14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

SCT3120AL

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

SCT31, SCT3, SCT