FQPF2N80YDTU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.9 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

35 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.07 mm

Longitud:

10.36 mm

Serie:

FQPF2N80YDTU

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

2.2 S

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.090478 oz

Tags

FQPF2N8, FQPF2N, FQPF2, FQPF, FQP