BSS308PEH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

62 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

- 5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

BSS308

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

4.6 S

Otoño:

2.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.6 ns

Parte # Alias:

BSS308PE BSS38PEH6327XT H6327 SP000928942

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

BSS308PEH6327X, BSS308PEH, BSS308, BSS30, BSS3, BSS