FSB67508

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

SPM-10

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

38 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.4 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

32 W

Embalaje:

Tubo

Altura:

10.7 mm

Longitud:

26.2 mm

Escribe:

Módulo de energía inteligente

Ancho:

2.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

19

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

2000 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

550 ns

Tags

FSB67, FSB6, FSB