NE5511279A-T1-A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

CEL

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Ganar:

15 dB

Potencia de salida:

40 dBm

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

79A-4

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

900 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

CEL

Transconductancia directa - Mín .:

0.0023 S

Pd - Disipación de energía:

20 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Tags

NE5511, NE551, NE55, NE5