NSS60100DMTTBG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-6

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.3 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

155 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

140

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

90

Pd - Disipación de energía:

2.27 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000600 oz

Tags

NSS601, NSS6, NSS