SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3
Mfr. #:
SIE830DF-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIE830DF-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIE830DF-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PolarPAK-10
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5.2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
27 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
4.2 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SIE83, SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIE830DF-T1-GE3
DISTI # SIE830DF-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIE830DF-T1-GE3
    DISTI # 781-SIE830DF-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      SIE830DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE830DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE830DF-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 104W
      SIE830DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE830DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE830DF-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2500
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      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
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