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SIA950DJ-T1-GE3

SIA950DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA950DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIA950DJ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
PEQUEÑO PIE
embalaje
Digi-ReelR
Paquete-Estuche
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
7W
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
190V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
90pF @ 100V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
950mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.4V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
4.5nC @ 10V
Tags
SIA9, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***ark
Mosfet, Dual N Channel, 190V, 0.95A, Powerpak, Full Reel
***i-Key
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIA950DJ-T1-GE3
DISTI # SIA950DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SIA950DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA950DJ-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SIA950DJ-T1-GE3
      DISTI # SIA950DJ-T1-GE3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SIA950DJ-T1-GE3
        DISTI # 781-SIA950DJ-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 190V 0.95A 7.0W 3.8ohm @ 4.5V
        RoHS: Compliant        		0
          Imagen Parte # Descripción
          SIA950DJ-T1-GE3

          Mfr.#: SIA950DJ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SIA950DJ-T1-GE3

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIB452DK-T1-GE3
          SIA950DJ-T1-GE3

          Mfr.#: SIA950DJ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SIA950DJ-T1-GE3-VISHAY

          		 MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          5000
          Ingrese la cantidad:
          El precio actual de SIA950DJ-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
          Precio de referencia (USD)
          Cantidad
          Precio unitario
          Ext. Precio
          1
          0,00 US$
          0,00 US$
          10
          0,00 US$
          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
          500
          0,00 US$
          0,00 US$
          1000
          0,00 US$
          0,00 US$
          Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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