FDMS3602S

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC, 45 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

Power Stage PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

FDMS3602S

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

67 S, 132 S

Otoño:

1.8 ns, 3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns, 4.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 nS, 31 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.9 nS, 12 nS

Unidad de peso:

0.003175 oz

Tags

FDMS3602, FDMS360, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM