CSD19503KCS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

28 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

188 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.51 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

CSD19503KCS

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

110 S

Otoño:

2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

CSD1950, CSD19, CSD1, CSD