BSO303SP H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

21 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

- 40 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

19 S

Otoño:

33 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

BSO303SPHXUMA1 BSO33SPHXT SP000613848

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

BSO303SPH, BSO303S, BSO303, BSO30, BSO3, BSO