OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

TGF2979-SM

TGF2979-SM
Mfr. #:
TGF2979-SM
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2979-SM Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2979-SM más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
13 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 2.7 V
Id - Corriente de drenaje continua:
326 mA
Potencia de salida:
6 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 225 C
Pd - Disipación de energía:
8.4 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
QFN-16
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Único
Altura:
0.203 mm
Longitud:
3 mm
Frecuencia de operación:
DC to 12 GHz
Escribe:
GaN SiC HEMT
Ancho:
3 mm
Marca:
Qorvo
Número de canales:
1 Channel
Kit de desarrollo:
TGF2977-SMEVB1
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1127257
Unidad de peso:
0.002014 oz
Tags
TGF297, TGF29, TGF2, TGF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC- 12 GHz, 25 W, 11 dB, 32 V, GaN, Plastic , QFN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF297x GaN RF Transistor
Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz. The TGF2970 transistors offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operation. Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2979-SM
DISTI # 772-TGF2979-SM		QorvoRF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
RoHS: Compliant		95
  • 1:$62.0000
  • 25:$53.6200
  • 100:$46.3800
TGF2979-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2979-SM-EVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
1127378
DISTI # TGF2979-SM		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		30
  • 1:$38.2200
Imagen Parte # Descripción
L-07C5N6SV6T

Mfr.#: L-07C5N6SV6T

OMO.#: OMO-L-07C5N6SV6T

 Fixed Inductors 5.6nH
X2B2020RFRFT

Mfr.#: X2B2020RFRFT

OMO.#: OMO-X2B2020RFRFT-AVX

 Signal Conditioning RFRF CROSSOVER SIZE 2020
500R07N101JV4T

Mfr.#: 500R07N101JV4T

OMO.#: OMO-500R07N101JV4T-JOHANSON-DIELECTRICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 100pF 5% NPO
500R07N3R3CV4T

Mfr.#: 500R07N3R3CV4T

OMO.#: OMO-500R07N3R3CV4T-JOHANSON-DIELECTRICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 3.3pF NPO
L-07C3N9SV6T

Mfr.#: L-07C3N9SV6T

OMO.#: OMO-L-07C3N9SV6T-JOHANSON-TECHNOLOGY

 Fixed Inductors 3.9nH
L-07C5N6SV6T

Mfr.#: L-07C5N6SV6T

OMO.#: OMO-L-07C5N6SV6T-JOHANSON-TECHNOLOGY

 Fixed Inductors 5.6nH
SQT-104-01-F-D

Mfr.#: SQT-104-01-F-D

OMO.#: OMO-SQT-104-01-F-D-SAMTEC

 Conn Socket Strip SKT 8 POS 2mm Solder ST Thru-Hole Tube
Disponibilidad
Valores:
90
En orden:
2073
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TGF2979-SM es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
62,00 US$
62,00 US$
25
53,62 US$
1 340,50 US$
100
46,38 US$
4 638,00 US$
250
43,13 US$
10 782,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Empezar con
Top