IXTX200N10L2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PLUS-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

540 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.04 kW

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Linear L2

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.34 mm

Longitud:

16.13 mm

Serie:

IXTX200N10

Escribe:

Linear L2 Power MOSFET

Ancho:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

55 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

225 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

127 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTX20, IXTX2, IXTX, IXT