CSD85301Q2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WSON-FET-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

5.4 nC, 5.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

CSD85301Q2

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

20 S, 20 S

Otoño:

15 ns, 15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns, 26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns, 14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns, 6 ns

Unidad de peso:

0.000342 oz

Tags

CSD8530, CSD85, CSD8, CSD