SSM3K56MFV,L3F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-723-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

800 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

186 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.2 mm

Serie:

SSM3K56

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.5 ns

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