DMC1229UFDB-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN2020-B-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.6 A, 3.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms, 37 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV, 1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

19.6 nC, 17.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMC1229

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

4.1 ns, 26.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.5 ns,11.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16.6 ns, 27.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 5.7 ns

Unidad de peso:

0.000229 oz

Tags

DMC12, DMC1, DMC