PMGD280UN,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

870 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

340 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

0.89 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Parte # Alias:

PMGD280UN T/R

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

PMGD280UN,1, PMGD28, PMGD2, PMGD, PMG