SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4952DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4952DY-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI4952DY-GE3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
2.8W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
25V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
680pF @ 13V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
50 ns
Hora de levantarse
50 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
16 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
23 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
20 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4952DY-T, SI4952D, SI4952, SI495, SI49, SI4
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4952DY-T1-GE3
DISTI # SI4952DY-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4952DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4952DY-T1-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      SI4952DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
      SI4952DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
      SI4952DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
      SI4952DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
      SI4952DY

      Mfr.#: SI4952DY

      OMO.#: OMO-SI4952DY-1190

      Nuevo y original
      SI4952DY-T1

      Mfr.#: SI4952DY-T1

      OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-1190

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      Available
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      0,00 US$
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