BSM180D12P2C101

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de semiconductores de potencia

Escribe:

MOSFET de potencia SiC

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 22 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

Módulo

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BSMx

Embalaje:

A granel

Configuración:

Medio puente

Altura:

21.1 mm

Longitud:

122 mm

Ancho:

45.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Tiempo de retardo típico:

80 ns

Otoño:

90 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

204 A

Pd - Disipación de energía:

175 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Hora de levantarse:

90 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

12

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Tiempo de retardo de apagado típico:

300 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

80 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1200 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Parte # Alias:

BSM180D12P2C101

Unidad de peso:

1.763698 oz

Tags

BSM180D, BSM180, BSM18, BSM1, BSM