Jan2N3019/TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-39-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

140 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300 at 500 mA, 10 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

15 at 1 A, 10 V

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Tags

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