PMXB360ENEAZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-1010D-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

345 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

3.2 S

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Unidad de peso:

0.000042 oz

Tags

PMXB36, PMXB3, PMXB, PMX