PTFA211801F V4 R250

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1.3 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Ganar:

17.5 dB

Potencia de salida:

180 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-34288-4/2

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Altura:

4.11 mm

Longitud:

23.11 mm

Frecuencia de operación:

2170 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

13.72 mm

Marca:

Infineon Technologies

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

56.5 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Parte # Alias:

FA211801FV4R25XT

Tags

PTFA211801F, PTFA2118, PTFA211, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF