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T1G4020036-FL

T1G4020036-FL
Mfr. #:
T1G4020036-FL
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
T1G4020036-FL Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
T1G4020036-FL más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
N
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN
Ganar:
12 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
120 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 10 V, 2 V
Id - Corriente de drenaje continua:
12 A
Potencia de salida:
85 W
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
28 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Estilo de montaje:
Montaje con tornillo
Paquete / Caja:
CG2H30070F
Embalaje:
A granel
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
0.5 GHz to 3 GHz
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
1
Subcategoría:
Transistores
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
- 2.8 V
Tags
T1G402, T1G4, T1G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR GAN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
T1G4020036-FL
DISTI # 20395646		TriQuint SemiconductorRF POWER TRANSISTOR GAN8
  • 1:$623.1000
T1G4020036-FL
DISTI # 772-T1G4020036-FL		QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
RoHS: Compliant		25
  • 1:$656.0000
T1G4020036-FL-EVB
DISTI # 772-T1G4020036FLEVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
1110866
DISTI # T1G4020036-FL		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		8
  • 1:$355.6900
Imagen Parte # Descripción
HMC739LP4E

Mfr.#: HMC739LP4E

OMO.#: OMO-HMC739LP4E

 VCO Oscillators MMIC VCO ,RF/2 & Div/16, 23.8-26.8GHz
HMC739LP4E

Mfr.#: HMC739LP4E

OMO.#: OMO-HMC739LP4E-ANALOG-DEVICES

 VCO Oscillators MMIC VCO RF/2 & Div/16 23.8-26.8GHz
CGA5L1X7R1V106K160AC

Mfr.#: CGA5L1X7R1V106K160AC

OMO.#: OMO-CGA5L1X7R1V106K160AC-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 10uF 35volts X7R 10% T=1.6mm
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de T1G4020036-FL es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
656,00 US$
656,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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