CSD13202Q2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WSON-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

580 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

5.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

CSD13202Q2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

44 S

Otoño:

13.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Unidad de peso:

0.000208 oz

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CSD13202, CSD132, CSD13, CSD1, CSD