STW12N150K5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.9 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

47 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.15 mm

Longitud:

20.15 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STW12N150K5

Escribe:

MDmesh K5

Ancho:

15.75 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

600

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

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