IXTY02N50D

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

-

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Tubo

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

IXTY02N50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

-

Ancho:

6.22 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

-

Kit de desarrollo:

-

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

70

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTY02N50D, IXTY02N5, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT