FPNH10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

T

Tipo de transistor:

Bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

60

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

25 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

3 V

Corriente continua del colector:

0.05 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92

Embalaje:

A granel

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Ganancia de corriente CC hFE Max:

60 at 4 mA at 10 V

Altura:

4.7 mm

Longitud:

4.7 mm

Frecuencia de operación:

650 MHz

Escribe:

Señal pequeña bipolar RF

Ancho:

3.93 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

650 MHz (Min)

Corriente máxima del colector de CC:

0.05 A

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.006286 oz

Tags

FPN