DMN2990UFA-7B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X2-DFN0806-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

510 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

990 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

500 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN2990

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

180 mS

Otoño:

6.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns

Tags

DMN2990UF, DMN29, DMN2, DMN