SI2312CDS-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

31.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

18 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.45 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SI2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

24 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

31 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

SI2312CDS-T1-G, SI2312CDS-T, SI2312C, SI2312, SI231, SI23, SI2