NTQD6866R2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

3.1 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

14 S

Otoño:

75 ns, 90 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

45 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns, 40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 10 ns

Unidad de peso:

0.005573 oz

Tags

NTQD6866R, NTQD68, NTQD6, NTQD, NTQ