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IXFE48N50QD2

IXFE48N50QD2
Mfr. #:
IXFE48N50QD2
Fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFE48N50QD2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXFE48N50QD2
embalaje
Tubo
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
ISOPLUS-227-4
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
400 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
22 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
41 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
500 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
110 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
75 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
33 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IXFE48N50Q, IXFE48, IXFE4, IXFE, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
***ark
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 300 V, 225 W, 100 A, 300 RoHS Compliant: Yes
***r Electronics
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Darlington NPN 300V 100A 225000mW 4-Pin ISOTOP Tube
***ronik
NPN-TRANSISTOR 300V 100A ISOTOP RoHSconf
***ment14 APAC
DARLINGTON Transistor, SOT-227; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation
***nell
TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-227; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transistor Case Style: SOT-227; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Av Current Ic: 100A; Continuous Collector Current Ic Max:
***ource
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
***el Electronic
Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
***et
PWR IGBT 39A,600V,SMPS N-CH W/DIODE TO-227
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFE48N50QD2
DISTI # IXFE48N50QD2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$32.9300
IXFE48N50QD2
DISTI # 747-IXFE48N50QD2		IXYS CorporationMOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 10:$32.9300
  • 30:$30.2600
  • 50:$28.9700
  • 100:$28.1300
  • 200:$25.8100
Imagen Parte # Descripción
IXFE48N50Q

Mfr.#: IXFE48N50Q

OMO.#: OMO-IXFE48N50Q

 MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
IXFE48N50

Mfr.#: IXFE48N50

OMO.#: OMO-IXFE48N50-1190

 Nuevo y original
IXFE48N50QD3

Mfr.#: IXFE48N50QD3

OMO.#: OMO-IXFE48N50QD3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds
IXFE48N50QD2

Mfr.#: IXFE48N50QD2

OMO.#: OMO-IXFE48N50QD2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
IXFE48N50Q

Mfr.#: IXFE48N50Q

OMO.#: OMO-IXFE48N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
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El precio actual de IXFE48N50QD2 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
38,72 US$
38,72 US$
10
36,78 US$
367,79 US$
100
34,84 US$
3 484,35 US$
500
32,91 US$
16 453,90 US$
1000
30,97 US$
30 972,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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