QPD1015L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

20 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

145 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Potencia de salida:

70 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

64 W

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

NI-360

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

3.7 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 85 C

Serie:

QPD

Marca:

Qorvo

Kit de desarrollo:

QPD1015LPCB401

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 2.8 V

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QPD101, QPD10, QPD1, QPD