IXFH30N40Q

IXFH30N40Q
Mfr. #:
IXFH30N40Q
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFH30N40Q Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH30N40Q Datasheet
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-247-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
400 V
Id - Corriente de drenaje continua:
30 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
160 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
300 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
HyperFET
Embalaje:
Tubo
Altura:
21.46 mm
Longitud:
16.26 mm
Serie:
IXFH30N40
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
5.3 mm
Marca:
IXYS
Otoño:
12 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
35 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
30
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
51 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
25 ns
Unidad de peso:
0.229281 oz
Tags
IXFH30, IXFH3, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***th Star Micro
MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
***ark
MOSFET, N, TO-247; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:400V; Current, Id cont:30A; Resistance, Rds on:0.16R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4V; Case style:TO-247; Charge, gate n-channel:95nC; Current, RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 300W; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J; Current Temperature: 25°C; Full Power Rating Temperature: 25°C; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Junction Temperature Tj Min: -55°C; N-channel Gate Charge: 95nC; No. of Transistors: 1; On State Resistance Max: 160mohm; Pulse Current Idm: 120A; Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns; Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ; Reverse Recovery Time trr Typ: 250ns; Termination Type: Through Hole; Voltage Vds Typ: 400V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4V; Weight: 6g
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFH30N40Q
DISTI # IXFH30N40Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 400V 30A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IXFH30N40Q
    DISTI # 747-IXFH30N40Q
    IXYS CorporationMOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
    RoHS: Compliant
    0
    • 30:$8.2000
    • 60:$7.6200
    • 120:$7.4500
    • 270:$6.8000
    • 510:$6.2000
    • 1020:$5.9200
    IXFH30N40Q
    DISTI # 7347928
    IXYS Corporation 
    RoHS: Compliant
    0
    • 2500:$6.7500
    • 1000:$7.0900
    • 250:$7.3300
    • 500:$7.3300
    • 100:$7.7300
    • 25:$8.0200
    • 10:$8.8600
    • 1:$9.4500
    Imagen Parte # Descripción
    IXFH340N075T2

    Mfr.#: IXFH340N075T2

    OMO.#: OMO-IXFH340N075T2

    MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
    IXFH320N10T2

    Mfr.#: IXFH320N10T2

    OMO.#: OMO-IXFH320N10T2

    MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
    IXFH34N50P3

    Mfr.#: IXFH34N50P3

    OMO.#: OMO-IXFH34N50P3

    MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
    IXFH30N60X

    Mfr.#: IXFH30N60X

    OMO.#: OMO-IXFH30N60X

    MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS
    IXFH32N500Q

    Mfr.#: IXFH32N500Q

    OMO.#: OMO-IXFH32N500Q-1190

    Nuevo y original
    IXFH32N100X

    Mfr.#: IXFH32N100X

    OMO.#: OMO-IXFH32N100X-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 1KV 32A ULTRA JCT TO-247
    IXFH30N50Q3

    Mfr.#: IXFH30N50Q3

    OMO.#: OMO-IXFH30N50Q3-IXYS-CORPORATION

    Darlington Transistors MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
    IXFH36N50P

    Mfr.#: IXFH36N50P

    OMO.#: OMO-IXFH36N50P-IXYS-CORPORATION

    Darlington Transistors MOSFET 500V 36A
    IXFH30N50

    Mfr.#: IXFH30N50

    OMO.#: OMO-IXFH30N50-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
    IXFH30N60P

    Mfr.#: IXFH30N60P

    OMO.#: OMO-IXFH30N60P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET 600V 30A
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5500
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    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    30
    8,20 US$
    246,00 US$
    60
    7,62 US$
    457,20 US$
    120
    7,45 US$
    894,00 US$
    270
    6,80 US$
    1 836,00 US$
    510
    6,20 US$
    3 162,00 US$
    1020
    5,92 US$
    6 038,40 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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