RSS065N06FU6TB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

31 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RSS065N06

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

4 S

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

60 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Parte # Alias:

RSS065N06

Unidad de peso:

0.030018 oz

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