SQJ560EP-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SO-8L-4

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A, 18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms, 52.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

30 nC, 45 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

34 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

56 S, 16 S

Otoño:

4 ns, 5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns, 6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns, 11 ns

Tags

SQJ5, SQJ