SQJQ900E-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-8x8L-4

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

120 nC, 120 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

135 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

105 S, 105 S

Otoño:

14 ns, 14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.5 ns, 7.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns, 14 ns

Tags

SQJQ90, SQJQ9, SQJQ, SQJ