ES6U42T2R

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563T-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal P, SBD

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

280 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

2.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ES6U4

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

ES6U42

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

ES6U42, ES6U4, ES6U, ES6