DXT651Q-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.23 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

100

Pd - Disipación de energía:

2 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

DXT65, DXT6, DXT