IXTA10P15T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

3 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

IXYS

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Tags

IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT