CMRDM3575 TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-963

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

160 mA, 140 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV, 1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

458 pC, 500 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

ATTOmini

Embalaje:

Carrete

Serie:

CMRDM

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

1.3 S, 140 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

85 ns, 100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns, 35 ns

Parte # Alias:

CMRDM3575 PBFREE TR

Tags

CMRDM3, CMRDM, CMRD, CMR