IPP052NE7N3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

51 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

103 S, 52 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

IPP052NE7N3GXKSA1 IPP52NE7N3GXK SP000641726

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP052NE7N3G, IPP052NE7N3, IPP052NE, IPP052, IPP05, IPP0, IPP