IXZ2210N50L2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Potencia de salida:

270 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SMD-8

Embalaje:

Tubo

Frecuencia de operación:

2 MHz to 110 MHz

Serie:

IXZ221

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

3.1 S

Número de canales:

2 Channel

Pd - Disipación de energía:

270 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Tags

IXZ2, IXZ