SI5504BDC-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ChipFET-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A, 3.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.12 W, 3.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.05 mm

Serie:

SI54

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

5 S, 3.5 S

Otoño:

25 ns, 10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns, 60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 30 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

SI5504BDC-T, SI5504B, SI5504, SI550, SI55, SI5