BUK964R7-80E,118

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.45 V

Qg - Carga de puerta:

92.1 nC

Pd - Disipación de energía:

324 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Otoño:

82.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

95.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

112 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

54.2 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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