IRFH4257DTRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.7 mOhms, 1.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9.7 nC, 23 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

25 W, 28 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

100 S, 138 S

Otoño:

20 ns, 25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

47 ns, 51 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.2 ns, 12 ns

Parte # Alias:

SP001572506

Tags

IRFH425, IRFH4, IRFH, IRF