STU60N3LH5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

48 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.4 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

22 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.2 mm

Longitud:

6.6 mm

Serie:

STU60N3LH5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

4.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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STU60N3, STU60N, STU60, STU6, STU